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提供了用于晶片的与制造商无关的后处理方法。所述晶片包括活性表面、基底以及介于活性表面与基底之间的中间层。所述方法包括从晶片处理制造商的输出成品中取出晶片；将基底薄化至中间层或者薄化至中间层的数微米内以暴露新表面；以及将新表面与替代材料基底结...
该专利属于雷神公司所有，仅供学习研究参考，未经过雷神公司授权不得商用。

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