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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成基底，基底上形成有栅极结构、栅极结构两侧基底内形成有掺杂外延层、基底上形成有覆盖栅极结构顶部的层间介质层；在栅极结构两侧的层间介质层内形成露出掺杂外延层的接触开口；形成接触开口后，形成覆盖掺杂外延层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。