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低冗余抗辐照D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了传统的抗辐照D锁存器所需硬件多、功耗高、延迟时间长以及虽然可实现抗双节点翻转，但存在抗双节点翻转的能力差，甚至无法实现对双节点翻转的容错问题。本发明包括NMOS晶体管N1至N2...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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