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本发明属于电路控制技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET驱动保护电路及其驱动保护方法。该电路包括采样比较模块、信号锁存及逻辑控制模块、外部控制模块和误开通抑制执行模块。该驱动电路能够解决SiC MOSFET工作过程中由于各种原因引起的误...
该专利属于湖南强军科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南强军科技有限公司授权不得商用。

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