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本发明公开了一种集成放大器件的霍尔器件及其制备方法，其中所述方法包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维电子气；去除部分第二...
该专利属于苏州矩阵光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州矩阵光电有限公司授权不得商用。

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