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基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法技术
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下载基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法的技术资料
文档序号:20275999
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本发明涉及一种基于(AlxGa1‑x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法,所述制备方法包括:选取蓝宝石作为衬底材料;在所述衬底材料表面生长(AlxGa1‑x)2O3形成光吸收层;采用掩模版在所述光吸收层表面形成不对称叉指电极,...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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