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一种PERC电池背场激光开槽图形制造技术
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下载一种PERC电池背场激光开槽图形的技术资料
文档序号:20275998
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PERC电池背场激光开槽图形,单硅晶片上设有背电极、直线开槽区、线段开槽区。在每个线段开槽区内,每个头尾相邻的两个线段开槽区间间均设有一个间隔区。线段开槽区和间隔区设在相应的相邻两个的直线开槽区之间的区域内,或者设在最边上的一个直线开槽区与...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。
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