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一种高探测效率的单光子雪崩二极管及其制作方法技术
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文档序号:20275980
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本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩二极管及其制作方法。传统单光子雪崩光电二极管的倍增区比较薄,进而导致探测灵敏度和光子探测效率普遍较低。本发明高探测效率的单光子雪崩二极管,包括同轴设置的p‑衬底层、p外延层、n+埋层、n型电荷层、反型深...
该专利属于杭州电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过杭州电子科技大学授权不得商用。
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