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本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、掺杂层以及介电层。所述基底具有多个鳍部分与至少一个凹陷部分。所述凹陷部分位于所述鳍部分之间。所述掺杂层配置于所述鳍部分的侧壁、所述基底的表面以及所述凹陷部分的侧壁与底部上。所述介...
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