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本发明公开了一种新型薄膜晶体管的制备方法，首先在单晶硅衬底上利用磁控溅射技术制备一层绝缘状态的锡酸钡薄膜作为栅极氧化物，然后再在绝缘锡酸钡薄膜上制备一层半导体特性的锡酸钡薄膜，最后再使用磁控溅射技术制备ITO透明导电电极以作为晶体管的源极和...
该专利属于常州工学院所有，仅供学习研究参考，未经过常州工学院授权不得商用。

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