温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种ONO膜层的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层并叠加成ONO膜层；第二氮化层和第三氧化层都分别采用对应的炉管LPCVD工艺形成；步骤二、测试ONO膜层表面的污染颗粒数，如果...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。