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本发明属于集成光学领域，涉及一种铌酸锂强度调制器，特别涉及一种高开关消光比的M‑Z型铌酸锂强度调制器，所述调制器包括铌酸锂基底以及形成于其表面的缓冲层、行波电极和光波导，所述行波电极包括中心电极和地电极，所述光波导包括输入端直波导、输出端直...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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