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本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面有橄榄形凹坑，其中所述橄榄形是指两头细中间宽的形状，例如椭圆形。本发明还涉及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的方法及所用腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片表面形貌规则，在外...
该专利属于北京通美晶体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京通美晶体技术有限公司授权不得商用。

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