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本发明公开了一种基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件。其自下而上包括：衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlGaN势垒层(4)和栅介质层(5)，AlGaN势垒层的两端分别为源级(7)和漏级(8)，栅介...
该专利属于吴绍飞所有，仅供学习研究参考，未经过吴绍飞授权不得商用。

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