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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底上具有第一鳍部和覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离结构；在隔离结构上形成第一栅极结构，第一栅极结构横跨第一鳍部且覆盖第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在暴露出的隔离结构中掺杂改性离子，在隔...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。