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本发明提供一种雪崩整流二极管的制作工艺，采用电解法去除硅片扩散后在其表面形成的磷硅、硼硅玻璃，电解液采用ZnSO4溶液，直流源阳极连接一根钼棒，直流源阴极连接一根铜棒，芯片P面朝上放置于电解液中，P面接触钼棒底部；电解反应结束后，将芯片取出...
该专利属于安徽钜芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽钜芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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