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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括第一区；在基底第一区中形成第一掺杂区；在第一掺杂区表面形成第一覆盖层，第一覆盖层中掺杂有第一离子组，第一离子组包括第一导电离子和第一阻挡离子；采用第一金属硅化工艺使第一覆盖层形成具...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。