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本发明公开了一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺。硅单晶切片后通过1000目砂轮进行第一次粗倒角去除边缘切片加工的损伤，然后进行研磨和腐蚀，使硅片具备了较好的边缘质量；通过背封二氧化硅对表面进行保护，避免了第二次倒角时吸盘和砂轮造成的表面损伤和...该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺。硅单晶切片后通过1000目砂轮进行第一次粗倒角去除边缘切片加工的损伤，然后进行研磨和腐蚀，使硅片具备了较好的边缘质量；通过背封二氧化硅对表面进行保护，避免了第二次倒角时吸盘和砂轮造成的表面损伤和...