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本发明公开了一种氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特，所述氮化硅介电层的制作方法包括：在衬底上沉积硅薄膜；对所述硅薄膜进行氮化处理以形成第一氮化硅薄膜；利用等离子体辅助分子束外延共沉积法在所述第一氮化硅薄膜上制作形成第二氮化硅薄...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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