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本发明提供了一种半导体压力传感器，半导体压力传感器呈顶栅型场效应晶体管结构，半导体压力传感器包括设置在第二衬底上表面的顶栅型场效应晶体管，顶栅型场效应晶体管包括设置在第二衬底上表面的源极/漏极、覆盖源极/漏极的半导体层、覆盖半导体层的栅极绝...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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