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本实用新型公开了一种半导体单晶炉，它包括底座、主炉室、副炉室、下驱动装置和上驱动装置，它还包括可升降磁场装置、副炉室升降驱动装置、副炉室旋转驱动装置和电动接晶托，可升降磁场装置包括磁场产生源和磁场升降驱动装置，磁场升降驱动装置连接在底座上，...
该专利属于蒋国庆所有，仅供学习研究参考，未经过蒋国庆授权不得商用。

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