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本发明提供一种气相晶体生长方法及氧化锌晶体，涉及晶体制备技术领域。一种气相晶体生长方法，主要包括以下步骤：将悬挂有籽晶的封帽固定在装有原料的坩埚上。籽晶与所述封帽、坩埚壁均为间隔设置，籽晶位于坩埚壁限定形成的腔体内。由于籽晶不与坩埚壁直接接...
该专利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院激光聚变研究中心授权不得商用。

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