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本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减小，U型槽长度依次增...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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