温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种发光二极体外延结构的制造方法及其应用，包括衬底，在衬底上生长的N型半导体层，在N型半导体层上生长的多量子阱发光层，在多量子阱发光层上生长的P型半导体层，在衬底和N型半导体层之间还存在3D岛状层和2D二维层，多量子阱发光层包括多...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。