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本发明公开了一种光电子注入型X射线探测器件，包括衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道半导体层、源电极、漏电极、源电极隔离层、漏电极隔离层、X射线光电导层、上电极及保护层，所述上电极与X射线光电导层的接触为欧姆接触或肖特基接触。本发明还公开了该光电子...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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