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一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器制造技术
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文档序号:20223650
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本发明涉及一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器,采用磷化铟为衬底材料,依次在衬底上向上生长一层p掺杂的铟镓砷材料层、一层本征铟镓砷材料层、一层n掺杂的铟镓砷材料层、一层氧化硅介质层;在氧化硅介质层中央区域转移或沉积单层石墨烯层,在氧化硅介质层上...
该专利属于上海电力学院所有,仅供学习研究参考,未经过上海电力学院授权不得商用。
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