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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区，半导体衬底第一区上具有若干第一鳍部和覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；在第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜；之后，在...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。