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本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；缓冲层，位于衬底表面上；沟道层，材料为GaN晶体或InGaN晶体；厚势垒层，材料为InmAlnGa(1‑m‑n)N晶体，且Al组分的摩尔含量0.80≥...
该专利属于芜湖启迪半导体有限公司;清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启迪半导体有限公司;清华大学授权不得商用。

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