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本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构，栅极结构下方衬底中具有沟道区，栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；在栅极结构第一侧的衬底中形成第一源漏掺杂层，第一源漏掺杂层中具有第一源漏离子，第一源...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。