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本发明提供一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面形成第二导电类型的第二外延层；在所述第二外延层上表面形成第一导电类型的第三外延层；形成贯穿所述第三...
该专利属于深圳市福来过科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市福来过科技有限公司授权不得商用。

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