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本发明属于半导体技术领域，具体为一种三维硅通孔结构CMOS图像传感器及其制备方法。本发明方法包括：在制作在硅衬底上的CMOS图像传感器芯片层的周围形成作为支架的聚合物腔壁；将聚光源玻璃与聚合物腔壁上表面相互粘合，形成空气腔；将硅衬底减薄处理...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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