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本发明揭示一种存储器单元阵列，其中个别所述存储器单元包括包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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