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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成立方相碳化硅基底；对所述立方相碳化硅基底进行无定形处理，以在所述立方相碳化硅基底的顶部形成无定形碳化硅层；对所述无定形碳化硅层进行再结晶处理，...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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