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本发明公开了一种TSV填孔方法，属于微电子组件技术领域。该方法在硅基片上进行刻蚀盲孔、研磨抛光形成通孔，接着通过通孔溅射、前处理、阶梯电镀等工艺，获得填充率可达100％的TSV铜孔。本发明方法具有过程简便、填充率高的优点，且方法简单易行、一...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十四研究所授权不得商用。

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