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本发明技术方案公开了一种金属阻挡层的制作方法，采用原子层沉积工艺制备所述金属阻挡层，分别在原子层沉积室内设置半导体衬底；并分别使含N的第一气相前驱体，含Ti的第二气相前驱体，含N的第三气相前驱体，含Zr的第四气相前驱体流向原子层沉积室内的半...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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