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本实用新型提供一种抑制浮体效应的新型SOI器件，包括从下往上依次层叠由底部硅层、中间BOX埋层和顶层硅膜组成的SOI衬底，顶层硅膜两侧形成有浅槽隔离层，顶层硅膜中注入有P离子形成P型硅，顶层硅膜上表面依次设有栅极氧化物和栅电极并以此组成Y型...
该专利属于中证博芯（重庆）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中证博芯（重庆）半导体有限公司授权不得商用。

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