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本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。由于设置在靠近N型GaN层一侧的第一超晶格结构中的AlGaN垒层的势垒高于第一超晶格结构与电子阻挡层之间的第二超晶格结构中的GaN垒层的势垒，AlGaN垒层可将大部分电...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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