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本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种利用溅射GaN衬底的外延生长的半导体发光二极管及制备方法。一种利用溅射GaN衬底的外延生长的半导体发光二极管，包括蓝宝石衬底、AlN薄膜镀层、GaN镀层、n‑GaN生长层、应力释放层、量子阱发光层、...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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