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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：器件衬底，包括元胞区以及环绕所述元胞区的终端保护环区；第一注入区，设置在所述器件衬底的背面并与所述终端保护环区相对；第二注入区，设置在所述背面并与所述元胞区相对，所述第一注入区环绕所述第...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。