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本发明提供一种半导体装置，具备：形成在半导体基板的漂移区、在半导体基板的上表面延伸而设置的栅极沟槽部、分别与栅极沟槽部的一侧和另一侧邻接的第一台面部和第二台面部、在第一台面部中设置在漂移区的上方的积累区、在第一台面部中设置在积累区的上方的基...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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