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本申请提供了一种MRAM阵列与其的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在衬底的表面上设置包括MTJ单元的预存储结构，MTJ单元的远离衬底的表面为第一表面；步骤S2，在MTJ单元上设置介质单元，介质单元包括低K介电层与抛光阻挡层，低K介电层的...
该专利属于中电海康集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电海康集团有限公司授权不得商用。

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