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本发明提供了一种深紫外线发光二极管结构以及其制作方法，其中，一种深紫外线发光二极管结构，主要是在磊晶前，在蓝宝石基板上形成一层的纳米碳管层；其后，才再进行后续氮化铝缓冲层以及深紫外线发光二极管的磊晶和晶片制作方法。通过纳米碳管可吸收较常见的...
该专利属于广州市香港科大霍英东研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广州市香港科大霍英东研究院授权不得商用。

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