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本发明提供一种具有良好第三象限性能的SiC MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、P‑body区、N型积累层、N+接触区、氧化层、侧栅、金属电极、漏极，本发明提出的SiC MOSFET器件可以提升SiC MOSFET第三象限性能，实...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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