温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，半导体基板包括第一导电类型漂移层，在第一导电类型漂移层内的上部设有第二导电类型体区、沟槽及第一导电类型发射极，第二导电类型体区、第一导电类型发射极均与沟槽一侧邻接，...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。