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本发明公开一种半导体存储装置的制作方法，其包括下列步骤。提供半导体基底，半导体基底上定义有存储单元区以及周围区。在半导体基底上形成介电层，在存储单元区形成第一沟槽贯穿介电层，且于周围区形成第二沟槽贯穿介电层。形成金属导电层填入第一沟槽与第二...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。