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本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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