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本发明涉及一种半导体器件介质膜低角度蚀刻方法，依次对器件介质膜进行光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、去胶、Descum及水洗工艺。通过光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、去胶、Descum及水洗工艺，降低了二氧化硅或氮化硅的蚀刻角度，即使在薄金属层沉积情况下...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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