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本发明涉及纳米材料领域，具体涉及选择性吸收日盲区紫外光的Mn掺杂ZnS超细纳米线及其制备方法和应用。本发明利用低温原位组装生长与可控掺杂的新方法制备了Mn掺杂ZnS超细纳米线，其线径为0.8nm,带隙为4.44eV，能高选择性吸收日盲区(即...
该专利属于北京师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京师范大学授权不得商用。

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