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基于气相沉积法提高金属疏水性的制备方法技术
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文档序号:20125950
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本发明公开一种基于气相沉积法提高金属疏水性的制备方法,设有:S1步骤:利用控制表面氧化法在金属表面生成氧化金属膜;S2步骤:经六甲基二硅胺烷通过气相沉积法在氧化金属修饰;使用超疏水金属的制作方法,使金属的表面疏水性得到相应的提高,六甲基二硅...
该专利属于许昌学院所有,仅供学习研究参考,未经过许昌学院授权不得商用。
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