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本发明涉及一种产磁小体铁氧化菌的培养方法，包括以下步骤：将产磁小体铁氧化菌接种到培养基中，发酵培养，培养温度为20‑25℃。本发明除培养温度外还进一步考虑了培养基的成分、通氧量等参数对铁氧化菌磁小体产量的影响，最终实现了显著提高磁小体产率的...
该专利属于黑龙江八一农垦大学所有，仅供学习研究参考，未经过黑龙江八一农垦大学授权不得商用。

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